ATOP مغنطرون الاخرق متعدد قوس ايون آلة طلاء الفراغ للأجهزة

1. ارتفاع معدل الترسيب ، وارتفاع سرعة الطلاء ، ويمكن استخدامه على نطاق واسع للقيام طلاء الزخرفية ، وظيفية

طلاء على مجموعة متنوعة من المنتجات. لذلك فهي معدات مثالية للقيام بالطلاء عالي الجودة وأفضل للكتلة

إنتاج.

2. يعتمد مبدأ الاخرق المغنطروني على نظرية تصريف توهج الكاثود ، فإنه ينفق

المجال المغناطيسي سطح الكاثود بالقرب من سطح قطعة العمل. ثم يحسن ذرة الفوضوية

معدل التأين. انها تحافظ على التماثل المغنطرون الاخرق ، وأيضا يمكن أن تحسن تأثير ساطع السطح.

3. مصدر تبخر البلازما قوس موثوق ، فإنه يمكن أن تعمل تحت التيار 40A في تحسين الكاثود

وهيكل المجال المغناطيسي. سيحدث الانتشار الذري بين الطلاء والمواد. هذا

لديها أيضا مزايا أن ضمادة مساعد شعاع خط الطول.

4. نظام ضخ الفراغ ، نظام التحكم الكهربائي ونظام طلاء الفراغ الكامل يمكن أن يكون

تخصيصها وفقا لمتطلبات المستخدم.

ينطبق على الأجهزة ، والحرف الزجاجية ، والحرف الخزفية ، مثل هذه الساعات لنا ، الهاتف المحمول قذيفة معدنية ، صحية

وير ، والعفن ، والمنتجات الالكترونية ، والزجاج والكريستال ، والنظارات ، والسكاكين ، والسكاكين وهلم جرا.

يمكنك جعل طلاء الفيلم مقاومة للاهتراء فائقة ، فيلم مكافحة التآكل ، فيلم الزخرفية (لون الذهب ، وردة

الذهب والبن والبني والبرونز والأزرق والأسود والأبيض والرمادي وألوان أخرى) ، جنبا إلى جنب مع المغنطرون الاخرق

تقنية يمكن مطلي غشاء مركب متعدد الطبقات وتصنيع الفولاذ المقاوم للصدأ مطلي ،

قد يتم تصنيع الألومنيوم ، والتيتانيوم ، والتنغستن ، والأفلام المعدنية الأخرى كرمز TIN ، TIC ، TICN ، TIALN ،

CRN ، CU ، AU ، فيلم الماس (DLC) ، فيلم معدني مزخرف ، فيلم طلاء الفيلم وغير المعدني المركبة و

فيلمه مركبات.

مبدأ العمل

فراغ المغنطرون الاخرق آلة طلاء مبدأ العمل: ما يسمى ب "دفقة" ، والإلكترونات في

حقل كهربائي تحت تأثير تسريع عملية الطيران إلى الركيزة مع ذرة الأرجون

التصادم والتأين من كميات كبيرة من أيونات الأرجون والإلكترونات. يطير الإلكترون نحو الركيزة ،

يقوم أيون الأرجون بتسريع المادة المستهدفة تحت تأثير المجال الكهربائي ، حيث يفرغ كمية كبيرة من المادة

عدد ذرات الهدف ، وتودع ذرة الهدف المحايدة (أو جزيء) على الركيزة لتشكيل

film.Secondary الإلكترون في تسريع الطيران إلى الركيزة بواسطة المجال المغناطيسي في عملية lorentz

القوة المغناطيسية ، وتأثير المنطقة المحصورة بالقرب من البلازما السطحية الهدف ، وكثافة البلازما في

المنطقة عالية جدا ، الإلكترون الثانوي تحت تأثير المجال المغناطيسي حول السطح المستهدف

الحركة الدائرية ، ومسار حركة الإلكترون طويل جدا ، باستمرار في عملية حركة التأثير

التأين من كميات كبيرة من قصف أيون الأرجون من الهدف ، بعد عدة مرات من الاصطدام

الطاقة الإلكترونية تقلل تدريجيا ، ويلقي قبالة خطوط الحقل المغناطيسي ، بعيدا عن الهدف

المادة ، والارتباط النهائي على الركيزة.